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        超低能鍺探測器

        超低能鍺探測器

        簡要描述:超低能鍺探測器特性和好處:
        ? 適合于 300 eV 到300keV 譜學應用
        ? 效率比 Si(Li)和SDD 高
        ? 直到很高的技術速率都提供很好的峰形
        ? 峰/本底比較高

        產品型號:

        所屬分類:高純鍺探測器系列

        產品時間:2020-01-07

        超低能鍺探測器

        應用
        • XRF
        • XAS (XAFS, EXAFS,
        XANES)
        • X-射線譜學

        描述:
        Canberra 的超低能鍺探測器(Ultra-LEGe) 把Ge 探測器的性能范圍延伸到幾百ev,提供過去的半導體
        探測器所不能比擬的分辨率、峰形和峰/本底比。超低能鍺探測器保持了鍺探測器固有的高能效率特性,由于原子數(Z)高加上相對地高的厚度(5-10mm),因而能夠轉換比市場上任何單光子探測器更廣的能量范圍。下面的圖2 把一個5 mm 厚的Ge 探測器X 射線譜高能端的效率與典型的基于硅的探測器作比較。通常的鍺探測器-包括專門為低能應用制造的探測器-3keV 以下峰形和效率都很差。這曾經被認為是鍺探測器的基本特性,使鍺探測器不能應用于大多數分析X 射線的應用。Canberra 發明的制造技術消除了這些問題。由此產生的超低能鍺探測器提供鍺探測器本征效率和分辨率的優勢,而沒有通常鍺探測器的缺點。

        性能:
        由于Canberra的探測器結構適用于所有低能鍺探測器,各種尺寸的超低能鍺探測器都能夠提供的性能。例如,100mm2的超低能鍺探測器在5.9keV的分辨率小于150eV(FWHM),而同樣尺寸的Si ( Li )探測器的分辨率超過160eV ( FWHM )。Ultra-LEGe探測器的主要優點是它非常低的電容,這意味著即使在非常短的成形時間,該探測器也能保持好的能量分辨率。例如,一個50mm2 探測器以0.1 微秒成形時間和100 kcps 計數率計數時,在5.9 keV 處典型分辨率為300 eV (FWHM)。這使得Ultra-LEGe理想地適用于高計數率XRF和回旋加速器應用。Ultra-LEGe探測器表現出很好的峰-本底比(P/B)。.P/B-比定義為5.9 keV 處峰高除以1- 4 keV能量范圍內計數的平均,一個Ultra-LEGe探測器的P/B典型值2000:1.。在圖 1 中,Ultra-LEGe 超低能鍺探測器對一個來自NIST22063 薄膠片標準類的X 射線譜表現出的分辨率、峰形和低本底噪聲。這一譜是用裝備聚合物窗的超低能鍺探測器獲取的,使用電子掃描顯微鏡激發的。

         


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